高内存带宽（HBM）具有实现大容量和高传输速率的特征，也是支持人工智能发展的必不可少的技术之一。作者专注于HBM技术的主要分支，同时分析与HBM标准相关的专利，讨论破坏风险，采取替代路径，常见的专利布局技术和下一代技术预测的风险点，以帮助企业掌握代表标准形式的权利。一般专利应用状况人工智能的快速发展使HBM能够迅速增长。美国和韩国在欧洲的技术前进布局等技术方面具有多种优势。 Bagamchina迟到了，但很快就发展起来，它应该关注欧洲和日本等市场的专利布局。巨型外国工业的技术垄断提出了设计和制造业集成（IDM）模型，即它们在设备过程，集成包装和I/O接口（输入/输出）中很强；到目前为止，国内公司还没有IDM的力量，而大学和研究机构在目标研发中缺乏。三星等知名公司的巨大共享市场受益于工业与学者之间的合作，而国内需要加强行业，学者，研究和工业连锁店。对技术的关键分支2D DRAM（平面动态随机内存）技术的分析已经进入了韩国和美国的第二次发展，并具有明显的最高利益。自2018年以来，每年的3D DRAM专利申请每年都有增加，这是储存制造商的新途径，被迫打破了光刻的限制。中国，美国和韩国都积极地在组织组织，国内外之间的差距很小，中国主要是FO以其自己的布局为由。尽管增加缩放尺寸的困难，但2D鼓晶体管和电容器逐渐越来越老，并且技术差距较少。在短期内，FinFET（Fin Field效应晶体管）和高K介电材料（高介电恒定材料）仍然是目前的基本结构和材料，当时应跟随它们。垂直通道和通道掺杂的晶体管以解决GIDL（栅极引起的排水泄漏），并将主体连接到浮动体以抑制人体的浮动效应是4F 2 DRAM的主要技术，应该专注于实现外围突破。在3D DRAM方面，国内外国家之间对于电容3D DRAM的差距很小。三星对基础设施提出的基础设施工业化有明显的前景，其他公司尚未开发固定的路线。中国在IG-ZO中具有技术力量INC氧化物）通道材料和超弦结构，这可能着重于中期，以继续努力促进工业化工业化。在无电容的3D DRAM方面，D不同的国内外技术途径。国内申请人注意2T0C（两个无能力的晶体管）和3T0C（三个无能力的晶体管）。外国申请人使用人体的浮动效应来实现无电容的3D鼓，具有很高的研究活动，但布局尚未完成。在中期，我们可以专注于2T0C，3T0C和浮动晶体管以加强布局。从长远来看，外国初创企业NEO半导体公司拥有浮动的身体专利，并且具有强大的技术实力。该集成包装是实现HBM（高带宽内存）的主要技术，在2006年之后逐渐增加。美国和韩国具有第一步优势，并掌握了基本核心专利。虽然中国迟到了，它迅速发展。 TSV（Chiliif ​​By孔）的成本为HBM包装成本的30％，成本比最高，基本过程，其应用量的比例高于债券。改变中国企业的能力需要改善。就TSV而言，我们将在短期内遵循电气性能解决方案，该技术将使孔形成并填充信号破坏。在中期，我们将设计功率TSV和单独的TSV信号，以确保同时集成和改善TSV的热性能；从长远来看，我们将寻找一体化的工业化 - 以及TSV中光子硅的技术。在粘结方面，短期关注热压导膜，预防热膜等。中期关注混合键垫结构和改进Proseso，以提高产量和可靠性。 Xperi（Aixper）具有基本技术，并与行业领导者合作。做农用HBM公司可能会积极寻求合作； SMIC和长江记忆将成熟的技术与混合键合，可以一起开发。全球高带宽内存的专利申请数量正在迅速增长。它的技术主要来自美国和韩国。两者在I/O界面中具有强大的技术研究和发展功能，并且在世界各地的许多国家或地区都具有不同程度的专利布局。我国技术的研究和发展处于童年时代。巨型行业领导了相关的I/O标准的发展，总体国内实力相对脆弱。在短时间内，PAENTER是外围电路匹配或与测试和保证类别可靠性组合的阈值，而入门级水平可以增强其布局； Changxin和其他人可能会考虑加强其在监测中的技术积累E占空周期和校准。中期重点是技术电路保证可靠性的内部结构，并提供了外围性能布局的性能。长期加强性能 - 改进布局的质量。与HBM标准有关的专利分析HBM目前在中国的早期阶段，需要寻求成功。大学，大学和研究机构几乎没有参与，企业不知道与标准相关的专利布局。在HBM1-3标准的七个版本的PAMAANALYZ中，可以看出，伪通道模式，模式寄存器和IEEE 1500测试结构等与HBM1 2相关的专利违规行为的高风险点等；与HBM3标准相关的专利违规行为的高风险点包括刷新，芯片ECC（错误检测和校正）以及占空比调节器（DCA）和占空比循环监视器（DCM）。应事先防止与专利违反的相关风险。近年来，与HBM相关的专利布局一直是与领先的野外公司竞争的重点。韩国和美国公司开始关注2010年的相关专利申请，而国内创新实体开始持续下去。 SK Hynix已开始在2010年部署HBM性能改进PATENTS 1，该专利已在市场共享中彻底改变。 2020年后，三星积极删除在改善HBM3性能方面的专利，其市场共享相应增加，并且与SK Hynix的竞争非常激烈。在将HBM1-3标准技术的演变分类后，可以看出，就现有技术标准，分布式体系结构，IEEE 1838测试体系结构等而言，是技术开发的可能方向。标准中可以包含的技术包括：内置自我测试（BIST）电路和其他六个方面。注意布局提前专利，避免智力风险。 BM领域的HKooperation和竞争。近年来，该试验经常发生在HBM领域，其中90％在美国。近年来，重点是I/O。涉及2021年至2022年的10个I/O要求，I/O涉及标准，由于经济成本高，NPE（非专利生物的非专利实施）很容易购买并用于保护权利。 5月 - 设定在HBM字段中选择了两个常见案例，以评估诉讼过程。在此案的判决期间，Netlist和Samsung之间的案件是由于订单供应问题导致了与许可证协议到期的整个协议。因此，如果签署了交叉许可协议，则有必要与合并的发展协议或供应协议分开签署，以防止协议之间的相互影响。 TBT（NPE）和三星之间的情况是因为没有restric关于该协议是否不是签署的NG三星和NPE的协议的目标是针对子公司。在签署不属于NPE的协议时，必须注意所有NPE子公司的约束力。从试验过程的角度来看，在Netlist和Samsung的情况下，三星使用RAND（理性的，而不是歧视）来捍卫在试验过程中赔偿的减少，并且还将多方审查与Micron合并。案件专利权目前宣布为无效。在涉及投标案件的诉讼时，国内企业应完全理解共同配方的原则，使用兰特原则或发明人参与标准配方并减少薪酬金额。此外，企业可能会建议与审判响应结盟，以从Wast Wastor或多方检查开始。在TBT和三星之间的情况下，在收到违规通知时Amsung使用第一次起诉的原则将案件转移到对NPE不友好的法院。相关案例已固定。美国有NPE友好的法院。国内创新实体应了解该国审判的司法特征。他们可以使用第一个诉讼的原则将NPE偷运到其他法院并主动采取行动。结论建议：首先，政府，工业，学者和研究工作共同加速了“瓶颈”技术的垮台。加强HBM替代技术的政策指导，制定和研究政策，建立基本学科和特殊项目，并加强对大学和Panana Institutionsbaliksik的研发投资。国内创新实体应共同努力，以产生IDM弱点，并加强主要国内企业与科学机构之间的劳动和合作分工。在实现技术研究的同时我们可以通过为提高绩效和增强国际竞争的专利提供专利来制定标准。第二个是根据分层分类系统遵循，破坏和积累“瓶颈”技术。例如，在2D鼓中，我们专注于FinFET和High-K介电材料，然后遵循，并在3D DRAM 2T0C，3T0C等方面取得了突破，从长远来看，我们可以通过才能训练与技术初创公司合作，并意识到可供使3D DRAM和HYBRID键合技术的积累。 Ang Pangatlo要采取许多步骤来加强智力保护。对于后续技术，采用了布局预防技术，采用了断裂技术来采用地毯保护方法，并采用了积累技术来结合核心和外围设备。违反HBM标准的风险很高，应加强预防。一起工作时，陷阱应避免使用许可协议或NPE合同。在涉及投标案件的诉讼时，兰德原则应易于使用，以捍卫和避免开设法庭的NPE等，同时，联盟的发作可能通过工业协会无效，并且能够应对Mayuti诉讼的能力。 。